ахбор

Ташаккур ба шумо барои боздид аз Nature. Версияи браузере, ки шумо истифода мебаред, дастгирии маҳдуди CSS дорад. Барои таҷрибаи беҳтарин, мо тавсия медиҳем, ки версияи навтари браузерро истифода баред (ё ҳолати мувофиқатро дар Internet Explorer хомӯш кунед). Ҳамзамон , барои таъмини дастгирии доимӣ, мо сайтҳоро бидуни услуб ва JavaScript намоиш медиҳем.
Иловаҳо ва равандҳои чопи ҳарорати паст метавонанд дастгоҳҳои гуногуни электронии нерӯи барқ ​​истеъмолкунанда ва нерӯи барқ ​​истеъмолкунандаро дар рӯи заминаҳои чандир бо хароҷоти кам муттаҳид созанд. Аммо, истеҳсоли системаҳои электронии мукаммал аз ин дастгоҳҳо одатан дастгоҳҳои электронии барқро барои табдил додани шиддатҳои гуногуни кории худ талаб мекунад. ҷузъҳои ғайрифаъол — индукторҳо, конденсаторҳо ва резисторҳо — вазифаҳоеро ба мисли филтр, нигоҳдории кӯтоҳмуддати энергия ва андозагирии шиддат иҷро мекунанд, ки дар электроникаи барқ ​​​​ва бисёр барномаҳои дигар муҳиманд. Дар ин мақола мо индукторҳо, конденсаторҳо, резисторҳо ва схемаҳои RLC, ки дар рӯи субстратҳои пластикии чандир экран чоп шудаанд, гузориш медиҳанд ва дар бораи раванди тарҳрезӣ гузориш медиҳанд, то муқовимати силсилаи индукторҳоро ба ҳадди ақал расонанд, то онҳо дар дастгоҳҳои электронии барқ ​​истифода шаванд. Пас аз он индуктор ва муқовимати чопшуда ба схемаи танзимкунандаи пурқувват дохил карда мешаванд. диодхои рушноии органики ва батареяхои чандири литий-ионй.Танзимгарони шиддат барои таъмини диодҳо аз батарея истифода мешаванд, ки потенсиали ҷузъҳои пассивии чопшударо барои иваз кардани ҷузъҳои анъанавии васлшаванда дар барномаҳои конвертери DC-DC нишон медиҳанд.
Дар солҳои охир, татбиқи дастгоҳҳои гуногуни чандир дар маҳсулоти электронии фарсудашаванда ва васеъ ва Интернети ашёҳо1,2 таҳия карда шудааст. Ба инҳо дастгоҳҳои ҷамъоварии энергия, аз қабили фотоэлектрикӣ 3, пьезоэлектрикӣ 4 ва термоэлектрикӣ 5;дастгоҳҳои нигоҳдории энергия, ба монанди батареяҳои 6, 7;ва дастгоҳҳои истеъмолкунандаи нерӯи барқ, ба монанди сенсорҳои 8, 9, 10, 11, 12 ва манбаъҳои рӯшноӣ 13. Ҳарчанд дар манбаъҳои ҷудогонаи энергия ва сарборӣ пешрафти бузург ба даст оварда шудааст, муттаҳид кардани ин ҷузъҳо ба системаи пурраи электронӣ одатан электроникаи барқро талаб мекунад, ки бартараф кардани ҳама гуна номувофиқатии байни рафтори таъминоти барқ ​​​​ва талаботҳои сарборӣ. Масалан, батарея мувофиқи ҳолати заряди худ шиддати тағирёбанда тавлид мекунад. .Электроникаи барқӣ ҷузъҳои фаъол (транзисторҳо)-ро барои иҷрои вазифаҳои коммутатсионӣ ва идоракунӣ, инчунин ҷузъҳои пассивӣ (индукторҳо, конденсаторҳо ва резисторҳо) истифода мебаранд. Масалан, дар схемаи танзимкунандаи коммутатсионӣ индуктор барои нигоҳ доштани энергия дар ҳар як давраи коммутатсионӣ истифода мешавад. , конденсатор барои кам кардани мавҷи шиддат истифода мешавад ва андозагирии шиддат барои назорати бозгашт бо истифода аз тақсимкунандаи резистор анҷом дода мешавад.
Таҷҳизоти электронии барқӣ, ки барои дастгоҳҳои фарсуда мувофиқанд (масалан, оксиметри пулс 9) якчанд вольт ва якчанд миллиамперро талаб мекунанд, одатан дар диапазони басомади садҳо кГц то якчанд МГс кор мекунанд ва якчанд μH ва якчанд μH индуктсияро талаб мекунанд ва иқтидори μF аст 14 мутаносибан.Усули анъанавии истеҳсоли ин схемаҳо барои кафшер кардани ҷузъҳои дискретӣ ба тахтаи микросхемаи сахти чопӣ (PCB) аст. Ҳарчанд ҷузъҳои фаъоли схемаҳои электронии барқ ​​одатан ба як схемаи интегралии кремний (IC) муттаҳид карда мешаванд, ҷузъҳои ғайрифаъол одатан мебошанд. беруна, ё имкон медиҳад, ки схемаҳои фармоишӣ ё аз сабаби он, ки индуктивӣ ва зарфияти зарурӣ барои дар кремний татбиқ кардан хеле калон аст.
Дар муқоиса бо технологияи анъанавии истеҳсолӣ дар асоси PCB, истеҳсоли дастгоҳҳои электронӣ ва схемаҳо тавассути раванди чопи изофӣ аз ҷиҳати соддагӣ ва арзиш бартариҳои зиёд дорад. Аввалан, зеро бисёре аз ҷузъҳои схема як маводро талаб мекунанд, ба монанди металлҳо барои тамосҳо. ва пайвастҳои мутақобила, чоп имкон медиҳад, ки дар як вақт ҷузъҳои сершумор бо марҳилаҳои нисбатан ками коркард ва камтари манбаъҳои мавод истеҳсол карда шаванд15.Истифодаи равандҳои изофӣ барои иваз кардани равандҳои субтрактивӣ, ба монанди фотолитография ва etching, мураккабии раванд ва партовҳои моддӣ16, 17, 18, ва 19.Ғайр аз ин, ҳарорати пасте, ки дар чоп истифода мешаванд, бо субстратҳои пластикии фасеҳ ва арзон мувофиқанд, ки имкон медиҳад, ки равандҳои истеҳсолии рол-ба-рол барои пӯшонидани дастгоҳҳои электронии 16, 20 дар минтақаҳои калон истифода шаванд. ки бо ҷузъҳои чопшуда пурра амалӣ карда намешаванд, усулҳои гибридӣ таҳия шудаанд, ки дар онҳо ҷузъҳои технологияи васлкунии рӯизаминӣ (SMT) ба субстратҳои чандир 21, 22, 23 дар паҳлӯи ҷузъҳои чопшуда дар ҳарорати паст пайваст карда мешаванд. Дар ин равиши гибридӣ, он ҳоло ҳам аст Барои иваз кардани ҳарчи бештари ҷузъҳои SMT бо ҳамтоёни чопшуда барои ба даст овардани бартариҳои равандҳои иловагӣ ва баланд бардоштани чандирии умумии схема зарур аст. Барои амалӣ кардани электроникаи қувваи чандир, мо маҷмӯи ҷузъҳои фаъоли SMT ва пассиви дар экран чопшударо пешниҳод кардем. ҷузъҳо, бо таваҷҷӯҳи махсус ба иваз кардани индукторҳои ҳаҷман SMT бо индукторҳои спиралии ҳамвор. Дар байни технологияҳои гуногуни истеҳсоли электроникаи чопӣ, чопи экран махсусан барои ҷузъҳои ғайрифаъол мувофиқ аст, зеро ғафсии плёнкаи калон (ки барои ҳадди ақалл кам кардани муқовимати силсилаи хусусиятҳои металлӣ зарур аст) ) ва суръати баланди чоп, ҳатто ҳангоми пӯшидани қитъаҳои сатҳи сантиметр.
Талафоти ҷузъҳои ғайрифаъоли таҷҳизоти электронии барқ ​​бояд ҳадди ақалл кам карда шавад, зеро самаранокии схема мустақиман ба миқдори энергияе, ки барои пур кардани система лозим аст, таъсир мерасонад. Ин махсусан барои индукторҳои чопшуда, ки аз печҳои дароз иборатанд, душвор аст, ки бинобар ин ба силсилаи баланд ҳассос мебошанд. муқовимат.Аз ин рӯ, гарчанде ки барои ба ҳадди ақал расонидани муқовимати 25, 26, 27, 28 аз печҳои чопшуда кӯшишҳо ба харҷ дода шудаанд, аммо то ҳол набудани ҷузъҳои пассивии чопшудаи баландсамар барои дастгоҳҳои электронии барқӣ мавҷуд аст. ҷузъҳо дар субстратҳои чандир барои кор дар схемаҳои резонансӣ барои муайянкунии басомади радио (RFID) ё бо мақсади ҷамъоварии энергия тарҳрезӣ шудаанд 10, 12, 25, 27, 28, 29, 30, 31. Дигарон ба рушди моддӣ ё раванди истеҳсолӣ тамаркуз мекунанд ва ҷузъҳои умумиро нишон медиҳанд 26, 32, 33, 34, ки барои барномаҳои мушаххас оптимизатсия карда нашудаанд. Баръакси ин, схемаҳои электронии барқӣ ба монанди танзимгари шиддат аксар вақт ҷузъҳои калонтарро нисбат ба дастгоҳҳои маъмулии чопшудаи ғайрифаъол истифода мебаранд ва резонансро талаб намекунанд, аз ин рӯ тарҳҳои ҷузъҳои гуногун талаб карда мешаванд.
Дар ин ҷо, мо тарҳрезӣ ва оптимизатсияи индукторҳои чопшудаи экранро дар диапазони μH барои ноил шудан ба муқовимати хурдтарин силсила ва иҷрои баланд дар басомадҳои марбут ба электроникаи барқ ​​ҷорӣ мекунем. Индукторҳо, конденсаторҳо ва резисторҳои чопшудаи экран бо арзишҳои ҷузъҳои гуногун истеҳсол карда мешаванд. Муносиб будани ин ҷузъҳо барои маҳсулоти электронии чандир аввал дар як схемаи оддии RLC нишон дода шуд. Индуктори чопшуда ва муқовимат пас аз он бо IC муттаҳид карда мешавад, то як танзимгари пурқувватро ташкил кунад. Ниҳоят, диодҳои органикии рӯшноӣ (OLED) ) ва батареяи фасеҳи литий-ион истеҳсол карда мешаванд ва барои аз батарея таъмин кардани OLED танзимгари шиддат истифода мешавад.
Барои тарҳрезии индукторҳои чопшуда барои электроникаи барқ, мо аввал индуктсия ва муқовимати доимии як қатор геометрияҳои индукторро дар асоси модели варақаи ҷорӣ, ки дар Мохан ва дигарон пешниҳод шудааст, пешгӯӣ кардем.35, ва индукторҳои сохтаи геометрияҳои гуногун барои тасдиқи дақиқии модел. Дар ин кор, шакли даврашакл барои индуктор интихоб карда шуд, зеро индуксияи баландтар 36 бо муқовимати камтар нисбат ба геометрияи полигоналӣ ба даст оварда мешавад. Таъсири ранг намуд ва шумораи давраҳои чопӣ оид ба муқовимат муайян карда мешавад. Баъдан ин натиҷаҳо бо модели амперметр барои тарҳрезии индукторҳои 4,7 μH ва 7.8 μH барои муқовимати ҳадди ақали DC оптимизатсияшуда истифода шуданд.
Индуктсия ва муқовимати доимии индукторҳои спиралро бо якчанд параметрҳо тавсиф кардан мумкин аст: диаметри берунӣ do, паҳнои гардиш w ва фосила s, шумораи гардишҳо n ва муқовимати варақи баранда Rsheet. Расми 1а акси индуктори даврашакл дар экрани абрешимро нишон медиҳад. бо n = 12, нишон додани параметрҳои геометрӣ, ки индуктивии онро муайян мекунанд. Мувофиқи модели амперметри Mohan et al.35, индуктсия барои як қатор геометрияҳои индукторӣ ҳисоб карда мешавад, ки дар он ҷо
(а) Акси индуктори дар экран чопшуда, ки параметрҳои геометриро нишон медиҳад. Диаметр 3 см аст. Индуктсия (б) ва муқовимати доимии доимӣ (c) геометрияҳои гуногуни индуктор. Хатҳо ва аломатҳо мутаносибан ба арзишҳои ҳисобшуда ва ченшуда мувофиқат мекунанд. (г, д) Муқовиматҳои доимии индукторҳои L1 ва L2 бо рангҳои нуқраи Dupont 5028 ва 5064H чоп карда мешаванд. (f,g) микрографҳои SEM аз экрани филмҳо, ки аз ҷониби Dupont 5028 ва 5064H чоп шудаанд, мутаносибан.
Дар басомадҳои баланд, таъсири пӯст ва иқтидори паразитӣ муқовимат ва индуктсияи индукторро мувофиқи арзиши доимии он тағир медиҳанд. Индуктор дар басомади ба қадри кофӣ паст кор мекунад, ки ин таъсирот ночизанд ва дастгоҳ ҳамчун индуктсияи доимӣ рафтор мекунад. бо муқовимати доимӣ дар силсила. Бинобар ин, мо дар ин кор муносибати байни параметрҳои геометрӣ, индуктивӣ ва муқовимати доимии доимиро таҳлил кардем ва натиҷаҳоро барои ба даст овардани индуктивии додашуда бо хурдтарин муқовимати доимии доимӣ истифода бурдем.
Индуктивӣ ва муқовимат барои як қатор параметрҳои геометрӣ, ки метавонанд тавассути чопи экран амалӣ карда шаванд, ҳисоб карда мешаванд ва интизор меравад, ки индуктсия дар диапазони μH тавлид шавад. Диаметрҳои берунии 3 ва 5 см, паҳнои хати 500 ва 1000 микрон , ва гардишҳои гуногун муқоиса карда мешаванд. Дар ҳисоб, тахмин карда мешавад, ки муқовимати варақ 47 мΩ/□ аст, ки ба қабати барандаи микрофлаки нуқраи ғафсии 7 мкм Dupont 5028, ки бо экрани 400 mesh чоп карда шудааст ва танзими w = s мебошад. арзишҳои ҳисобшудаи индуктивӣ ва муқовимат мутаносибан дар расми 1b ва в нишон дода шудаанд. Модели пешгӯӣ мекунад, ки ҳам индуктивӣ ва ҳам муқовимат дар баробари диаметри берунӣ ва шумораи гардишҳо зиёд мешаванд ё ҳангоми кам шудани паҳнои хат.
Барои баҳодиҳии дурустии пешгӯиҳои модел, индукторҳои геометрияҳо ва индуктсияҳои гуногун дар зери қабати полиэтилентерефталати (PET) сохта шудаанд. Қиматҳои индуктивӣ ва муқовимат дар расми 1b ва в нишон дода шудаанд. арзиши пешбинишуда, асосан аз сабаби тағйирёбии ғафсӣ ва якрангии сиёҳии супоридашуда, индуктивӣ бо модел мувофиқати хеле хуб нишон дод.
Ин натиҷаҳоро барои тарҳрезии индуктсия бо индуктсияи зарурӣ ва муқовимати ҳадди ақали DC истифода бурдан мумкин аст. Масалан, фарз кунем, ки индуксияи 2 μH лозим аст. Тасвири 1b нишон медиҳад, ки ин индуктсияро бо диаметри берунии 3 см, паҳнои хат амалӣ кардан мумкин аст. аз 500 мкм, ва 10 гардиш. Ҳамин индуктивиро инчунин бо истифода аз диаметри берунии 5 см, паҳнои хати 500 мкм ва 5 гардиш ё паҳнои 1000 мкм ва 7 гардиш (тавре ки дар расм нишон дода шудааст) тавлид кардан мумкин аст. Муқоисаи муқовимати ин се геометрияҳои имконпазир дар расми 1c, муайян кардан мумкин аст, ки муқовимати пасттарини индуктори 5 см бо паҳнои хати 1000 мкм 34 Ом аст, ки аз дуи дигар тақрибан 40% камтар аст. Раванди тарҳрезии умумӣ барои ноил шудан ба индуктсияи додашуда бо ҳадди ақали муқовимат ба таври зерин ҷамъбаст карда мешавад: Аввалан, диаметри максималии иҷозатдодашудаи беруниро мувофиқи маҳдудиятҳои фазои аз ҷониби барнома муқарраршуда интихоб кунед. Сипас, паҳнои хат бояд то ҳадди имкон калон бошад, дар ҳоле ки ба даст овардани индуктивии зарурӣ барои ба даст овардани суръати баланди пуркунӣ (Муодилаи (3)).
Бо зиёд кардани ғафсӣ ё истифодаи мавод бо гузарониши баландтар барои кам кардани муқовимати варақи филми металлӣ, муқовимати DCро бе таъсир ба inductance.Two inductors, ки параметрҳои геометрии онҳо дар ҷадвали 1 оварда шудаанд, L1 ва L2 ном доранд, минбаъд кам кардан мумкин аст. барои арзёбии тағирёбии муқовимат бо миқдори гуногуни рӯйпӯшҳо истеҳсол карда мешаванд. Бо зиёд шудани шумораи рӯйпӯшҳои рангӣ, муқовимат мутаносибан тавре интизор меравад, ки дар расмҳои 1d ва e нишон дода шудааст, ки мутаносибан индукторҳои L1 ва L2 мебошанд.Рақмҳои 1d ва e нишон медиҳад, ки бо истифода аз 6 қабати рӯйпӯш, муқовиматро то 6 маротиба кам кардан мумкин аст ва ҳадди аксар коҳиши муқовимат (50-65%) дар байни қабати 1 ва қабати 2 ба амал меояд. Азбаски ҳар як қабати ранг нисбатан тунук аст, як экран бо андозаи нисбатан хурди шабака (400 хат дар як дюйм) барои чопи ин индукторҳо истифода мешавад, ки ба мо имкон медиҳад, ки таъсири ғафсии ноқилро ба муқовимат омӯзем. То он даме, ки хусусиятҳои намунавӣ аз ҳалли ҳадди ақали шабака калонтар боқӣ монанд, як ғафсӣ монанд (ва муқовимат) мумкин аст тезтар тавассути чоп шумораи камтари молидани бо андозаи шабакаи калонтар ба даст.
Рақамҳои 1d ва e инчунин нишон медиҳанд, ки бо истифода аз сиёҳии нуқраи нуқраи гузарандатар DuPont 5064H, муқовимат ду маротиба кам карда мешавад. Аз микрографҳои SEM филмҳои бо ду ранг чопшуда (расми 1f, g) Дида шуд, ки ноқилияти пасти рангаи 5028 ба андозаи хурдтари зарраҳои он ва мавҷудияти холигии зиёд дар байни зарраҳо дар филми чопшуда вобаста аст. Аз тарафи дигар, 5064H дорои флакҳои калонтар ва зичтар ҷойгир буда, онро ба массима наздиктар мекунад. нуқра. Ҳарчанд филми истеҳсолкардаи ин ранг аз ранги 5028 бориктар аст, бо як қабати 4 μm ва 6 қабати 22 μm, афзоиши ноқилӣ барои кам кардани муқовимати умумӣ кофӣ аст.
Ниҳоят, гарчанде индуктивӣ (муодилаи (1)) аз шумораи гардишҳо (w+s) вобаста бошад ҳам, муқовимат (муодилаи (5)) танҳо аз паҳнои хат w вобаста аст. Аз ин рӯ, бо афзоиши w нисбат ба s, муқовимат метавонад минбаъд кам карда шавад. Ду индукторҳои иловагии L3 ва L4 тарҳрезӣ шудаанд, ки w = 2s ва диаметри берунии калон доранд, тавре ки дар ҷадвали 1 нишон дода шудааст. Ин индукторҳо бо 6 қабати рӯйпӯши DuPont 5064H, тавре ки қаблан нишон дода шудааст, истеҳсол карда мешаванд, то баландтарин нишондиҳанда. Индуктивии L3 4,720 ± 0,002 μH ва муқовимат 4,9 ± 0,1 Ω аст, дар ҳоле ки индуктивии L4 7,839 ± 0,005 μH ва 6,9 ± 0,1 Ом аст, ки бо пешгӯии модел мувофиқат мекунанд.D афзоиши ғафсӣ, ноқилӣ ва в/с, ин маънои онро дорад, ки таносуби L/R нисбат ба арзиши дар расми 1 овардашуда беш аз як фармоиши бузургӣ зиёд шудааст.
Ҳарчанд муқовимати доимии пасти доимӣ умедбахш аст, арзёбии мутобиқати индукторҳо барои таҷҳизоти электронии барқ, ки дар диапазони кГц-МГс кор мекунанд, тавсифро дар басомадҳои AC талаб мекунад. Дар расми 2а вобастагии басомади муқовимат ва реактивии L3 ва L4 нишон дода шудааст. Барои басомадҳои аз 10 МГс камтар. , муқовимат дар арзиши доимии худ тақрибан доимӣ боқӣ мемонад, дар ҳоле ки реаксия бо басомад ба таври хаттӣ зиёд мешавад, ки ин маънои онро дорад, ки индуктсия тавре интизор мерафт доимист. Басомади худидоракунии резонансӣ ҳамчун басомаде муайян карда мешавад, ки дар он импеданс аз индуктивӣ ба зарфият тағйир меёбад, бо L3 35,6 ± 0,3 МГс ва L4 24,3 ± 0,6 МГс аст. Вобастагии басомади омили сифат Q (баробар ба ωL/R) дар расми 2b нишон дода шудааст.L3 ва L4 ба ҳадди аксар омилҳои сифатии 35 ± 1 ва 33 ± 1 мерасад. дар басомадҳои 11 ва 16 МГс, мутаносибан.Индуктсияи чанд μH ва Q нисбатан баланд дар басомадҳои МГс ин индукторҳоро барои иваз кардани индукторҳои анъанавии рӯизаминӣ дар конвертерҳои камқуввати DC-DC кифоя мекунанд.
Муқовимати ченшуда R ва реаксия X (a) ва омили сифат Q (b) индукторҳои L3 ва L4 ба басомад алоқаманданд.
Барои кам кардани иқтидори зарурӣ барои иқтидори додашуда, беҳтар аст, ки технологияи конденсаторро бо иқтидори махсуси махсус истифода баред, ки он ба доимии диэлектрикӣ ε ба ғафсии диэлектрик тақсим карда мешавад. Дар ин кор мо композитсияи титанати барийро интихоб кардем. ҳамчун диэлектрик, зеро он дорои эпсилон баландтар аз дигар диэлектрикҳои органикии бо маҳлул коркардшуда мебошад. Қабати диэлектрикӣ дар байни ду ноқили нуқра экран чоп карда мешавад, то сохтори металлӣ-диэлектрикӣ-металлӣ ташкил кунад. Конденсаторҳо бо андозаҳои гуногун дар сантиметр, тавре ки дар расми 3a нишон дода шудааст , бо истифода аз ду ё се қабати рангаи диэлектрикӣ барои нигоҳ доштани ҳосили хуб истеҳсол карда мешаванд. Дар расми 3б як микрографи салиб-сессияи SEM-и конденсатори намояндагӣ бо ду қабати диэлектрикӣ бо ғафсии умумии диэлектрикӣ 21 мкм. Электродҳои боло ва поёнӣ нишон дода шудаанд. мутаносибан якқабат ва шашқабатаи 5064H мебошанд. Дар тасвири SEM зарраҳои титанати барий-микронӣ намоёнанд, зеро минтақаҳои равшантар бо binder органикии тиратар иҳота шудаанд. Сиёҳи диэлектрикӣ электроди поёнро хуб тар мекунад ва интерфейси равшанро бо плёнкаи металлии чопшуда, тавре ки дар расм бо калонтар нишон дода шудааст.
(а) Акси конденсатор бо панҷ майдони гуногун.(б) Микрографи салиббурдаи SEM-и конденсатор бо ду қабати диэлектрик, ки электродҳои диэлектрики титанати барий ва нуқраро нишон медиҳад.(в) Иқтидори конденсаторҳои титанати 2 ва 3 барий қабатҳои диэлектрикӣ ва минтақаҳои гуногун, ки дар 1 МГс чен карда мешаванд.(г) Муносибати байни иқтидор, ESR ва омили талафоти конденсатори 2,25 см2 бо 2 қабати қабатҳои диэлектрикӣ ва басомад.
Иқтидори он ба майдони пешбинишуда мутаносиб аст.Тавре ки дар расми 3c нишон дода шудааст, иқтидори хоси диэлектрики дуқабата 0,53 нФ/см2 ва иқтидори хоси диэлектрики сеқабат 0,33 нФ/см2 мебошад. иқтидор ва омили пароканда (DF) низ дар басомадҳои гуногун, тавре ки дар расми 3d нишон дода шудааст, барои як конденсатор 2,25 см2 бо ду қабати диэлектрикӣ чен карда шуданд. Мо дарёфтем, ки зарфият дар диапазони басомади таваҷҷӯҳ нисбатан ҳамвор буда, 20% афзоиш ёфтааст. аз 1 то 10 МГс, дар ҳоле ки дар ҳамон диапазон DF аз 0,013 то 0,023 зиёд шуд. Азбаски омили диссипатсия таносуби талафоти энергия ба энергияи дар ҳар як давраи AC захирашуда мебошад, DF аз 0,02 маънои онро дорад, ки 2% қувваи коркардшуда аз ҷониби конденсатор истеъмол карда мешавад. Ин талафот одатан ҳамчун муқовимати силсилаи эквивалентии аз басомад вобаста (ESR) ифода карда мешавад, ки дар силсила бо конденсатор пайваст карда шудааст, ки ба DF/ωC баробар аст. Тавре ки дар расми 3d нишон дода шудааст, барои басомадҳои бештар аз 1 МГс, ESR аз 1,5 Ом пасттар аст ва барои басомадҳои аз 4 МГс зиёдтар, ESR камтар аз 0,5 Ом аст. Ҳарчанд бо истифода аз ин технологияи конденсатор, конденсаторҳои синфи μF барои табдилдиҳандаҳои DC-DC майдони хеле калонро талаб мекунанд, аммо 100 pF- Диапазони иқтидори nF ва талафоти ками ин конденсаторҳо онҳоро барои барномаҳои дигар, аз қабили филтрҳо ва схемаҳои резонансӣ мувофиқ мегардонанд. Барои баланд бардоштани иқтидор усулҳои гуногунро метавон истифода бурд. Доимии баландтари диэлектрик иқтидори хосро зиёд мекунад 37;масалан, ин метавонад тавассути баланд бардоштани консентратсияи зарраҳои титанати барий дар ink.A ғафсӣ хурдтар диэлектрикӣ метавонад истифода шавад, ба даст, ҳарчанд ин талаб электроди поёни бо ноҳамворӣ камтар аз flake нуқра экран чоп. Thinner, capacitor ноҳамвории пасттар. қабатҳоро тавассути чопи инкжетӣ 31 ё чопи гравюрӣ 10 гузоштан мумкин аст, ки онро бо раванди чопи экран якҷоя кардан мумкин аст. Ниҳоят, қабатҳои сершумори алтернативии металлӣ ва диэлектрикро якҷо гузоштан ва чоп кардан ва ба ҳам пайвастан мумкин аст ва ба ин васила иқтидори 34 дар як воҳид зиёд карда мешавад. .
Тақсимкунандаи шиддат, ки аз як ҷуфт резисторҳо иборат аст, одатан барои иҷрои ченкунии шиддат барои назорати бозгашти танзимгари шиддат истифода мешавад. Барои ин навъи барнома муқовимати муқовимати чопшуда бояд дар диапазони kΩ-MΩ бошад ва фарқияти байни дастгоҳҳо хурд аст. Дар ин ҷо, маълум шуд, ки муқовимати варақи рангаи карбонии якқабатаи экран чопшуда 900 Ом/□ буд. Ин маълумот барои тарҳрезии ду резистори хатӣ (R1 ва R2) ва муқовимати серпентинӣ (R3) истифода мешавад. ) бо муқовимати номиналии 10 кОм, 100 кОм ва 1,5 МОм. Муқовимат байни арзишҳои номиналӣ тавассути чопи ду ё се қабати ранг, тавре ки дар расми 4 нишон дода шудааст ва аксҳои се муқовимат ба даст оварда мешавад. 8- 12 намунаи ҳар як намуд;дар ҳама ҳолатҳо, инҳирофи стандартии муқовимат 10% ё камтар аст. Тағйирёбии муқовимати намунаҳои дорои ду ё се қабати рӯйпӯш нисбат ба намунаҳои дорои як қабати coating.The тағироти хурд дар муқовимати ченшуда каме хурдтар аст. ва мувофиқати наздик бо арзиши номиналӣ нишон медиҳад, ки муқовиматҳои дигар дар ин диапазон мустақиман тавассути тағир додани геометрияи муқовимат ба даст оварда мешаванд.
Се геометрияи резисторҳои гуногун бо миқдори гуногуни рангҳои муқовимати карбон. Суратҳои се резистор дар тарафи рост нишон дода шудаанд.
Схемаҳои RLC намунаҳои китоби дарсии классикии комбинатсияи муқовимат, индуктор ва конденсаторҳо мебошанд, ки барои намоиш додан ва тафтиш кардани рафтори ҷузъҳои ғайрифаъол, ки ба схемаҳои чопии воқеӣ муттаҳид шудаанд, истифода мешаванд. Бо онҳо муқовимати 25 кОм параллел пайваст карда шудааст. Сурати занҷири чандир дар расми 5а нишон дода шудааст. Сабаби интихоби ин комбинатсияи махсуси силсилаи параллелӣ дар он аст, ки рафтори он аз ҷониби ҳар як се ҷузъҳои гуногуни басомад муайян карда мешавад, то ки иҷрои ҳар як ҷузъро таъкид ва арзёбӣ кардан мумкин аст. Бо дарназардошти муқовимати силсилаи 7 Оми индуктор ва ESR 1,3 Ом конденсатор, аксуламали басомади интизории занҷир ҳисоб карда шуд. Диаграммаи схема дар расми 5b нишон дода шудааст ва ҳисобшуда амплитудаи импеданс ва фаза ва арзишҳои ченшуда дар расмҳои 5c ва г нишон дода шудаанд. Дар басомадҳои паст муқовимати баланди конденсатор маънои онро дорад, ки рафтори занҷирро муқовимати 25 кОм муайян мекунад. Бо афзоиши басомад муқовимати роҳи LC коҳиш меёбад;тамоми рафтори схема то он даме, ки басомади резонанси 2,0 МГс бошад, иқтидор аст. Дар болои басомади резонансӣ, импеданси индуктивӣ бартарӣ дорад. Дар расми 5 мувофиқати аъло байни арзишҳои ҳисобшуда ва ченшуда дар тамоми диапазони басомадҳо равшан нишон дода шудааст. Ин маънои онро дорад, ки модели истифодашуда дар ин ҷо (дар он ҷо индукторҳо ва конденсаторҳо ҷузъҳои беҳтарин бо муқовимати силсилавӣ мебошанд) барои пешгӯии рафтори схема дар ин басомадҳо дақиқ аст.
(а) Акси схемаи RLC дар экран чопшуда, ки маҷмӯи силсилаи индуктори 8 мкН ва конденсатори 0,8 нФ-ро дар баробари муқовимати 25 кОм истифода мебарад.(б) Модели схема, аз ҷумла муқовимати силсилаи индуктор ва конденсатор.(c) ,г) Амплитудаи импеданс (в) ва фазаи (г) занҷир.
Ниҳоят, индукторҳо ва муқовиматҳои чопшуда дар танзимгари пурқувват амалӣ карда мешаванд. IC дар ин намоиш истифода мешавад Microchip MCP1640B14, ки танзимгари пурзӯри синхронӣ дар асоси PWM бо басомади кории 500 кГц мебошад. Диаграммаи схема дар расми 6а.А нишон дода шудааст. Индуктори 4,7 мкН ва ду конденсатор (4,7 мкФ ва 10 мкФ) ҳамчун унсурҳои нигоҳдории энергия истифода мешаванд ва як ҷуфт резисторҳо барои чен кардани шиддати баромади назорати бозгашт истифода мешаванд. Қимати муқовиматро барои танзими шиддати баромад ба 5 В интихоб кунед. Схема дар PCB истеҳсол карда мешавад ва иҷрои он дар доираи муқовимати сарборӣ ва диапазони шиддати вуруди аз 3 то 4 В барои тақлид кардани батареяи литий-ион дар ҳолатҳои пуркунии гуногун чен карда мешавад. Самаранокии индукторҳо ва резисторҳои чопшуда бо самаранокии индукторҳои SMT ва муқовимат. конденсаторҳои SMT дар ҳама ҳолатҳо истифода мешаванд, зеро иқтидори зарурӣ барои ин барнома хеле калон аст, ки бо конденсаторҳои чопшуда анҷом дода шавад.
(а) Диаграммаи занҷири устуворкунандаи шиддат.(b–d) (б) Vout, (в) Vsw ва (г) Шакли мавҷи ҷараён ба индуктор, шиддати даромад 4,0 В, муқовимати сарборӣ 1 кОм, ва индуктори чопшуда барои ченкунӣ истифода мешавад. Барои ин ченкунӣ резисторҳо ва конденсаторҳои васлшавандаи рӯизаминӣ истифода мешаванд.(д) Барои муқовиматҳои гуногуни сарборӣ ва шиддатҳои воридотӣ, самаранокии схемаҳои танзимкунандаи шиддат бо истифода аз ҳама ҷузъҳои васлшаванда ва индукторҳо ва резисторҳои чопшуда.(f) ) Таносуби самаранокии васлкунии рӯизаминӣ ва схемаи чопӣ дар (д) нишон дода шудааст.
Барои шиддати вуруди 4,0 В ва муқовимати сарбории 1000 Ом, шаклҳои мавҷҳое, ки бо истифода аз индукторҳои чопшуда чен карда шудаанд, дар расми 6b-d нишон дода шудаанд. Дар расми 6c шиддат дар терминали Vsw IC нишон дода шудааст;шиддати индуктор Vin-Vsw аст. Расми 6д ҷараёни ба индуктор ҷорӣшударо нишон медиҳад. Самаранокии занҷир бо SMT ва ҷузъҳои чопшуда дар расми 6е ҳамчун функсияи шиддати вуруд ва муқовимати сарборӣ нишон дода шудааст ва дар расми 6f таносуби самаранокӣ нишон дода шудааст. аз ҷузъҳои чопшуда ба ҷузъҳои SMT. Самаранокии ченшуда бо истифода аз ҷузъҳои SMT ба арзиши пешбинишуда дар варақаи маълумотии истеҳсолкунанда монанд аст 14. Дар ҷараёни вуруди баланд (муқовимати сарбории паст ва шиддати паст), самаранокии индукторҳои чопшуда аз ки индукторҳои SMT аз сабаби муқовимати силсилаи баландтар. Аммо, бо шиддати баланди вуруд ва ҷараёни баландтари баромад, талафоти муқовимат аҳамияти камтар пайдо мекунад ва иҷрои индукторҳои чопшуда ба индукторҳои SMT наздик мешавад. Барои муқовимати сарбории >500 Ом ва Vin = 4,0 В ё >750 Ом ва Vin = 3,5 В, самаранокии индукторҳои чопшуда аз 85% индукторҳои SMT зиёдтар аст.
Муқоисаи шакли мавҷи ҷорӣ дар расми 6d бо талафоти қувваи ченшуда нишон медиҳад, ки талафоти муқовимат дар индуктор сабаби асосии фарқияти самаранокии байни схемаи чопшуда ва схемаи SMT мебошад, тавре ки интизор мерафт. Қувваи вуруд ва баромад дар 4,0 В чен карда мешавад. шиддати даромад ва муқовимати сарбории 1000 Ом барои занҷирҳои дорои ҷузъҳои SMT 30,4 мВт ва 25,8 мВт ва барои занҷирҳои дорои ҷузъҳои чопшуда 33,1 мВт ва 25,2 мВт мебошад. Аз ин рӯ, талафоти схемаи чопӣ 7,9 мВт, ки нисбат ба 4 мВт3 зиёд аст. занҷир бо ҷузъҳои SMT. Ҷараёни индуктори RMS, ки аз шакли мавҷ дар расми 6d ҳисоб карда шудааст, 25,6 мА аст.Азбаски муқовимати силсилаи он 4,9 Ом аст, талафоти нерӯи барқ ​​​​3,2 мВт аст. Ин 96% аз фарқияти ченшудаи қувваи доимии 3,4 мВт мебошад. Илова бар ин, схема бо индукторҳои чопшуда ва муқовиматҳои чопшуда ва индукторҳои чопӣ ва муқовиматҳои SMT истеҳсол карда мешавад ва дар байни онхо фарки чиддии самаранокй мушохида карда намешавад.
Сипас танзимгари шиддат дар PCB чандир сохта мешавад (чопи схема ва иҷрои ҷузъи SMT дар расми иловагии S1 нишон дода шудааст) ва байни батареяи чандири литий-ион ҳамчун манбаи нерӯ ва массиви OLED ҳамчун сарбор пайваст карда мешавад.Ба гуфтаи Лохнер ва дигарон.9 Барои истеҳсоли OLED-ҳо, ҳар як пиксели OLED дар 5 В 0,6 мА истеъмол мекунад. Батарея мутаносибан оксиди кобальти литий ва графитро ҳамчун катод ва анод истифода мебарад ва бо рӯйпӯши майсаи докторӣ истеҳсол мешавад, ки усули маъмултарини чопи батарея аст.7 иқтидори батарея 16mAh аст, ва шиддат дар давоми санҷиш 4.0V аст.Расми 7 акси занҷир дар PCB фасењ нишон дода шудааст, ки се пиксели OLED-ро дар мувозӣ пайваст мекунад. Намоиш иқтидори ҷузъҳои қувваи чопиро барои муттаҳид шудан бо дигар нишон дод. дастгоҳҳои чандир ва органикӣ барои ташкили системаҳои электронии мураккабтар.
Сурати схемаи танзимгари шиддат дар PCB чандир бо истифода аз индукторҳо ва резисторҳои чопшуда, бо истифода аз батареяҳои чандири литий-ион барои қудрати се LED-и органикӣ.
Мо индукторҳо, конденсаторҳо ва резисторҳои чопшудаи экранро бо як қатор арзишҳо дар субстратҳои чандири PET бо мақсади иваз кардани ҷузъҳои васлшаванда дар таҷҳизоти электронии барқӣ нишон додем. Мо нишон додем, ки тавассути тарҳрезии спирал бо диаметри калон, суръати пуркунӣ , ва таносуби паҳнои сатр-фазо ва бо истифода аз қабати ғафси сиёҳи муқовимати паст. таваҷҷӯҳ ба электроникаи барқ.
Ҳолатҳои маъмулии истифодаи дастгоҳҳои электронии чопшуда системаҳои электронии фарсудашаванда ё ҳамгирошудаи маҳсулот мебошанд, ки аз батареяҳои чандири барқгиранда (ба монанди литий-ион) кор мекунанд, ки метавонанд вобаста ба ҳолати барқ ​​шиддатҳои тағйирёбанда тавлид кунанд. Агар сарборӣ (аз ҷумла чоп ва Таҷҳизоти электронии органикӣ) шиддати доимӣ ё баландтар аз баромади шиддати батареяро талаб мекунад, танзимгари шиддат талаб карда мешавад. Аз ин рӯ, индукторҳо ва резисторҳои чопшуда бо IC-ҳои анъанавии кремний ба танзимгари пурқувват муттаҳид карда мешаванд, то OLED-ро бо шиддати доимӣ таъмин кунанд. аз 5 В аз таъминоти барқи батареяи тағирёбандаи шиддат. Дар доираи муайяни ҷараёни сарборӣ ва шиддати вуруд, самаранокии ин схема аз 85% самаранокии схемаи идоракунӣ бо истифода аз индукторҳо ва муқовиматҳои рӯизаминӣ зиёд аст. Сарфи назар аз оптимизатсияи моддӣ ва геометрӣ, талафоти муқовимат дар индуктор ҳамчунон омили маҳдудкунандаи иҷрои схема дар сатҳҳои ҷараёнҳои баланд (ҷараёни вуруд бештар аз тақрибан 10 мА) мебошанд. Бо вуҷуди ин, дар ҷараёнҳои пасттар талафот дар индуктор кам мешавад ва иҷрои умумӣ аз ҳисоби самаранокӣ маҳдуд мешавад. Азбаски бисёре аз дастгоҳҳои чопшуда ва органикӣ ҷараёнҳои нисбатан камро талаб мекунанд, ба монанди OLED-ҳои хурде, ки дар намоиши мо истифода мешаванд, индукторҳои барқии чопшударо барои чунин барномаҳо мувофиқ донистан мумкин аст. Бо истифода аз IC-ҳо, ки барои баландтарин самаранокӣ дар сатҳҳои ҷорӣ тарҳрезӣ шудаанд, самаранокии умумии конвертер бештар ба даст овардан мумкин аст.
Дар ин кор, танзимгари шиддат дар PCB анъанавӣ, фасењ PCB ва технологияи soldering ҷузъи кӯҳи рӯизаминӣ сохта, дар ҳоле ки ҷузъи чоп аст, дар як substrate алоҳида истеҳсол карда мешавад. Аммо, рангҳои паст-ҳарорати ва часпакии баланд истифода бурда мешавад барои истеҳсоли screen- филмҳои чопшуда бояд ҷузъҳои ғайрифаъол, инчунин пайвасти байни дастгоҳ ва лавҳаҳои контактии ҷузъҳои васлшаванда дар ҳама гуна субстрат чоп карда шаванд. тамоми схемае, ки дар субстратҳои арзон (масалан, ПЭТ) бидуни ниёз ба равандҳои subtractive ба монанди etching PCB сохта мешавад. Аз ин рӯ, ҷузъҳои пассивии дар экран чопшуда, ки дар ин кор таҳия шудаанд, роҳро барои системаҳои электронии чандир, ки энергия ва борҳоро муттаҳид мекунанд, мекушоянд. бо электроникаи пуриқтидори барқ, бо истифода аз субстратҳои арзон, асосан равандҳои иловагӣ ва ҳадди аққал Шумораи ҷузъҳои васлкунии рӯизаминӣ.
Бо истифода аз чопгари экрани Asys ASP01M ва экрани пӯлоди зангногир аз ҷониби Dynamesh Inc., ҳама қабатҳои ҷузъҳои ғайрифаъол дар як субстрати чандири PET бо ғафсии 76 мкм экран чоп карда шуданд. Андозаи тории қабати металлӣ 400 хат дар як дюйм ва 250 аст. хатҳои дар як дюйм барои қабати диэлектрикӣ ва қабати муқовимат. Қувваи скидкаро 55 Н, суръати чопи 60 мм/с, масофаи кандашавӣ 1,5 мм ва серилорро бо сахтии 65 (барои металлӣ ва муқовиматкунанда) истифода баред қабатҳо) ё 75 (барои қабатҳои диэлектрикӣ) барои чопи экран.
Қабатҳои ноқилӣ - индукторҳо ва контактҳои конденсаторҳо ва резисторҳо - бо сиёҳии микрофлаки нуқраи DuPont 5082 ё DuPont 5064H чоп карда мешаванд. Муқовимат бо ноқили карбон DuPont 7082 чоп карда мешавад. Барои диэлектрики конденсатор, пайвастагии ноқилӣ барий диэлектрик BT-11 BT-10 истифода мешавад. Ҳар як қабати диэлектрик бо истифода аз як давраи чопи дугузар (тар-тар) истеҳсол карда мешавад, то якрангии филмро беҳтар кунад. Барои ҳар як ҷузъ, таъсири давраҳои чопи сершумор ба иҷрои ҷузъҳо ва тағирёбанда тафтиш карда шуд. Намунаҳо бо қабатҳои сершумори ҳамон мавод дар 70 °C дар тӯли 2 дақиқа дар байни қабатҳо хушк карда шуданд. Пас аз татбиқ кардани қабати охирини ҳар як мавод, намунаҳо дар 140 °C барои 10 дақиқа пухта шуданд, то хушкшавии пурра таъмин карда шаванд. Функсияи ҳамоҳангсозии автоматии экран Принтер барои мувофиқ кардани қабатҳои минбаъда истифода мешавад. Тамос бо маркази индуктор тавассути буридани сӯрохи дар лавҳаи марказӣ ва пайҳои чопи трафарет дар қафои субстрат бо сиёҳии DuPont 5064H анҷом дода мешавад. Пайвастшавӣ байни таҷҳизоти чопӣ инчунин Dupont-ро истифода мебарад. Printing stencil 5064H. Бо мақсади намоиш додани ҷузъҳои чопшуда ва ҷузъҳои SMT дар PCB чандир, ки дар расми 7 нишон дода шудааст, ҷузъҳои чопшуда бо истифода аз эпокси гузаронандаи Circuit Works CW2400 пайваст карда мешаванд ва ҷузъҳои SMT тавассути кафшери анъанавӣ пайваст карда мешаванд.
Ба сифати катод ва аноди батарея мутаносибан оксиди кобальти литий (LCO) ва электродҳои бар графит асосёфта истифода мешаванд. slurry катод омехтаи 80% LCO (MTI Corp.), 7,5% graphite (KS6, Timcal), 2,5 мебошад. % сиёҳи карбон (Super P, Timcal) ва 10% фториди поливинилиден (PVDF, Kureha Corp.).) Дар анод омехтаи 84wt% graphite, 4wt% карбон сиёҳ ва 13wt% PVDF.N-Methyl-2-pyrrolidone (NMP, Sigma Aldrich) аст, истифода бурда мешавад барои пароканда PVDF binder ва пароканда кардани slurry.The slurry аз тарафи homogenized шуд бо омехтаи гирдоби якшаба ба шӯр меоранд. Як фолгаи ғафси аз пӯлоди зангногир 0,0005 дюйм ва фолгаи никелии 10 мкм, мутаносибан ҳамчун коллекторҳои ҷорӣ барои катод ва анод истифода мешаванд. Сиёҳ дар коллектори ҷорӣ бо squeegee бо суръати чопи 20 чоп карда мешавад. мм/с.Электродро дар танӯр дар ҳарорати 80 °C дар давоми 2 соат гарм кунед, то ҳалкунанда хориҷ карда шавад. Баландии электрод пас аз хушккунӣ тақрибан 60 мкм аст ва дар асоси вазни маводи фаъол, иқтидори назариявӣ 1,65 мАч аст. Электродҳо ба андозаи 1,3 × 1,3 см2 бурида шуда, дар танӯри вакуумӣ дар ҳарорати 140 ° C шабона гарм карда шуданд ва сипас онҳо бо халтаҳои ламинати алюминий дар қуттии дастпӯшаки пур аз нитроген мӯҳр карда шуданд. Маҳлули филми пойгоҳи полипропиленӣ бо анод ва катод ва 1M LiPF6 дар EC/DEC (1:1) ҳамчун электролит батарея истифода мешавад.
OLED сабз аз поли(9,9-диоктилфлуорен-ко-н-(4-бутилфенил)-дифениламин) (TFB) ва поли((9,9-диоктилфлуорен-2,7- (2,1,3-бензотиадиазол) иборат аст. 4, 8-дийл)) (F8BT) мувофиқи тартиби дар Лохнер ва дигарон 9 зикршуда.
Барои чен кардани ғафсии филм аз профили стилуси Dektak истифода баред. Филм барои тайёр кардани намунаи буриш барои таҳқиқ тавассути микроскопияи электронии сканерӣ (SEM) бурида шуд. Дар таппончаи партовҳои майдони FEI Quanta 3D (FEG) SEM барои тавсифи сохтори чопшуда истифода мешавад. плёнка ва ченкунии ғафсӣ тасдиқ кунед. Тадқиқоти SEM дар шиддати суръатбахшии 20 кеВ ва масофаи маъмулии кории 10 мм гузаронида шуд.
Барои чен кардани муқовимати доимӣ, шиддат ва ҷараён аз мултиметри рақамӣ истифода баред. Импеданси AC индукторҳо, конденсаторҳо ва схемаҳо бо истифода аз метри Agilent E4980 LCR барои басомадҳои аз 1 МГс камтар чен карда мешавад ва таҳлилгари шабакавии Agilent E5061A барои чен кардани басомадҳои аз 500 кГц боло истифода мешавад. Осциллографи Tektronix TDS 5034 барои чен кардани шакли мавҷи танзимкунандаи шиддат.
Чӣ тавр ба ин мақола иқтибос овардан мумкин аст: Ostfeld, AE, ва ғайра. Ҷузъҳои пассивии чопи экран барои таҷҳизоти электронии чандир.science.Rep.5, 15959;дои: 10.1038/srep15959 (2015).
Nathan, A. et al. Electronics Flexible: платформаи навбатии дастрас. Process IEEE 100, 1486-1517 (2012).
Rabaey, JM Human Intranet: Ҷое, ки гурӯҳҳо бо одамон вомехӯранд. Ҳуҷҷате, ки дар Конфронси Аврупо ва Намоишгоҳи 2015 оид ба тарҳрезӣ, автоматизатсия ва озмоиш нашр шудааст, Гренобл, Фаронса. Сан-Хосе, Калифорния: Alliance EDA.637-640 (2015, 9 март- 13).
Krebs, FC etc.OE-A OPV demonstrator anno domini 2011.Energy environment.science.4, 4116–4123 (2011).
Али, М., Пракаш, Д., Зилгер, Т., Сингх, ПК ва Хюблер, дастгоҳҳои ҷамъоварии энергияи пьезоэлектрикии AC чопшуда. Маводҳои пешрафтаи энергетикӣ.4.1300427 (2014).
Чен, A., Madan, D., Райт, PK & Эванс, JW Dispenser чоп филми ғафси ҳамвор генератори энергияи thermoelectric.J.Микромеханика Микромуҳандисӣ 21, 104006 (2011).
Gaikwad, AM, Steingart, DA, Ng, TN, Schwartz, DE & Whiting, GL Батареяи чопии чандири потенсиали баланд, ки барои қувват додани дастгоҳҳои электронии чопшуда истифода мешавад.App Physics Wright.102, 233302 (2013).
Gaikwad, AM, Arias, AC & Steingart, DA Пешрафтҳои охирин дар батареяҳои чандири чопшуда: мушкилоти механикӣ, технологияи чоп ва дурнамои оянда. Технологияи энергетикӣ.3, 305–328 (2015).
Hu, Y. ва ғайра. Системаи бузурги ҳассос, ки дастгоҳҳои электронии майдони васеъ ва CMOS IC-ро барои мониторинги саломатии сохторӣ муттаҳид мекунад. IEEE J. Solid State Circuit 49, 513–523 (2014).